【新唐人北京時間2025年08月27日訊】最近一段時間，中共官媒大量報導吹噓有關「中國極紫外光刻機技術有重大突破」的消息，不過專家發現，它們基本上是把還處於理論或實驗室階段的東西，拿出來在做宣傳，而真正的產品，它們根本做不出來。
在美中科技戰的大背景下，目前各國都在管制光刻機出口中國，因此，中國不但無法進口先進的極紫外光刻機(EUV)、深紫外光刻機(DUV)，也無法取得相關設備的維修服務，中國的半導體產業發展也因此大幅受限。
然而，最近中共官方報導卻不斷吹噓所謂「中國的光刻機技術取得重大突破」的消息。
其中包含上海光機所的雷射驅動電漿體及紫外光光源實驗平台、哈爾濱工業大學的放電電漿體及紫外光源技術(DPP)、還有廣東智能機器研究院，利用高功率光纖雷射射擊液態錫靶，試圖繞過ASML超高功率與超高重頻二氧化碳雷射器，以及清華大學主導的穩態微聚束極紫外光源路線等等。
台灣大學電機系教授林宗男：「我們以光源的功率而言，愛斯摩爾最頂級有到600瓦，哈爾濱工業大學的功率大概不到100瓦，媒體報導有到43瓦，其實大概不到150瓦左右的水準，所以有很大的差距，還無法用在實際工廠的製造。」
台灣國防安全研究院戰略與資源所所長蘇紫雲：「第一個，這種是實驗室性質的，所以它要到大規模的商業生產性質還有一大段路要走；那第二個，為什麼這個時候，是因為要形塑一個就是宣傳的這種說法，等於是要跟美國的科技界，還有就是川普政府進行這個就是政治的宣傳，讓他們可以同意EUV極紫外光的光刻機可以解禁，但是我想這個可能性非常非常的低啦。」
這幾種光源路線，先後被中共官媒吹捧為「重大突破」「實質性突破」，聽起來好像國產EUV已經指日可待了。
台灣大學電機系教授林宗男：「他們為什麼都是會吹捧誇大成就，最主要的部分是因為做不出來，做不出來才要吹捧，如果做得出來，它就直接將產品推出來。這是最主要的原因。」
台灣工研院政策與區域研究組組長李冠樺：「我覺得啦，其實這都是實驗室的產物。那實驗室在乎的是發表論文，那它事實上走到商業化其實還有很長的一個路要走。」
專家認為，中國要做到荷蘭ASML水平至少需要30年。
蘇紫雲：「這一般來講，目前推估是在30年左右，就是你要做出這樣一個極紫外光機器，這個是上百萬個零組件都要去克服的，所以一般業界評估是30年。」
李冠樺：「尤其先進光刻機的發展不純粹只是在研發，它還需要跟製造端的配合。而這樣的配合事實上是需要在製程上具有先進能力跟先進製程發展經驗的製造商共同去發展。中國具有先進製程能力這樣的廠商是沒有的。」
ASML首席執行官克里斯托夫‧富凱（Christophe Fouquet）曾直言，「產生一些EUV光是可能的，但中國要製造出EUV機器還需要很多很多年。」
林宗男：「要做在半導體的生產，除了說雷射的光源這是一個核心的部分之外，因為你要做非常精密，像二納米高階的產品，它精密的部分更重要，中國目前並沒有這方面的技術。」
中國國內的一些專家也坦言，光刻機不是說砸錢下去就能把差距追平的。
李冠樺：「因為中國常常就是講叫快速進入市場，其實很多本來應該要慢工出細活的事情，在這個過程中都被省略了，所以這是為什麼大家會覺得說，光刻機你砸錢做不出來，因為這個中間的過程你都不想要，你想要最終的成果的話，這個其實是我覺得是緣木求魚了。」
美國智庫「安全與新興技術中心」的最新數據顯示，在2019至2024年間，荷蘭佔據了光刻工具市場份額的79%，其次是日本佔比17%。中國佔比僅4%。
編輯/孟心琪 採訪/易如 后製/鐘元